Tải bản đầy đủ

bai giang linh kien dien tu 2

Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực

Chương 4

TRANSISTOR MỐI NỐI LƯỢNG CỰC
(BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR = BJT)
4.1. Cấu tạo – ký hiệu
C

C

P
N

B

C

B

B


PNP

P

E

E

E

Hình 4.1.Cấu tạo và ký hiệu của BJT loại PNP
C

C

C

N
B

B

P
N

B

E

E

E

Hình 4.1.Cấu tạo và ký hiệu của BJT loại NPN
Transistor mối nối lưỡng cực là một linh kiện bán dẫn được tạo thành từ hai
mối nối P-N, nhưng có một vùng chung gọi là vùng nền.
Tùy theo sự sắp xếp các vùng bán dẫn mà ta có hai loại BJT: NPN, PNP.
Ba vùng bán dẫn được tiếp xúc kim loại nối dây ra thành ba cực:
 Cực nền: B (Base)


 Cực thu: C (Collector)
 Cực phát: E (Emitter)
Trong thực tế, vùng nền rất hẹp so với hai vùng kia. Vùng thu C và vùng phát
E tuy có cùng chất bán dẫn nhưng khác nhau về kích thước và nồng độ tạp chất nên
chúng ta không thể hoán đổi vò trí cho nhau.
45


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực
4.2. Nguyên lý hoạt động
IE

IC

e

RE

Rc

IB
e
-

e

+

- - +

VEE

Vcc

Hình 4.3.
Mối nối P-N giữa cực nền và cực phát được phân cực thuận bởi nguồn VEE.
Mối nối P-N giữa nền và thu được phân cực nghòch bởi nguồn VCC.
Điện tử từ cực âm của nguồn VEE di chuyển vào vùng phát qua vùng nền,
đáng lẽ trở về cực dương của nguồn VEE nhưng vì:
+ Vùng nền rất hẹp so với hai vùng kia.
+Nguồn VCC>> VEE cho nên đa số điện tử bò hấp dẫn về nó.
Do đó, số lượng điện tử từ vùng nền vào vùng thu tới cực dương của nguồn
Vcc rất nhiều so với số lượng điện tử từ vùng nền tới cực dương của nguồn V EE. Sự
dòch chuyển của điện tử tạo thành dòng điện:
Dòng đi vào cực B gọi là dòng IB
Dòng đi vào cực C gọi là dòng IC.
Dòng từ cực E ra gọi là dòng IE.
4.3. Hệ thức liên quan giữa các dòng điện
R

R

C

E

IC
VEE

IB

IE
VEE

46


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực
Hình 4.4
Sự dòch chuyển của các điện tử như trên cho thấy:
IE = IB+IC

(1)

IC = IE

(2)

Hệ số  gần bằng 1
Thế (2) vào (1) ta được

IC
= IB + IC
α
 IC(

1



 IC.

 1) = IB

1 α
= IB
α

 IC =


.IB
1

Đặt  =


1

(3)

Vậy  thường là vài chục đến vài trăm
IC = .IB

(4)

 được gọi là hệ số khuếch đại dòng.
Kết hợp (1) và (4) ta được hệ thức thường dùng :
IE = IB + IC  IC = .IB

(5)

mối nối P-N giữa nền - thu phân cực nghòch còn có dòng rỉ (như diode phân
cực nghòch) gọi là ICB0 rất nhỏ (cỡ A). Dòng thu toàn thể là:
IC = IE + ICB0

(6)

Trong lúc đó hệ thức (1) và (3) vẫn còn áp dụng:
Thế (6) vào (1) :

I C  I CB0
 IB  IC
α

I CB0
1  α 
 IC 
  IB 
α
 α 
IC =

I
α
I B  CB0
1 α
1 α
47


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực
 IC = IB +

I CB0
(7)
1 α

Khi bỏ qua dòng điện rỉ ICB0 thì phương trình (7) trở thành phương trình (4)
4.4. Các cách mắc cơ bản
4.4.1. Mạch cực phát chung
Common Emitter  CE
Rc
mas s AC
Vo
Vi
+
V cc
+

V bb

Hình 4.5.
4.4.2. Mạch cực nền chung
Common Base  C B

Vi
Vo
Rc

+

V bb

+
V cc
mas s AC

Hình 4.6.
4.4.3. Mạch cực thu chung
Common Collector  CC

48


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực

Vi
Vo
+
+

V bb
V cc
Re

Hình 4.7
CE: tín hiệu vào B so với E, tín hiệu ra C so với E
. Pha giữa tín hiệu vào và ra : đảo pha
CB : tín hiệu vào E so với B, tín hiệu ra C so với B
. Pha giữa tín hiệu vào và ra : cùng pha
CC: tín hiệu vào B so với C , tín hiệu ra E so với C.
. Pha giữa tín hiệu vào và ra: cùng pha.
4.5. Đặc tuyến của BJT
Xét mạch sau:

Ic
Rb

Rc

C
B

Ib

+
E

+

V cc
V bb

Hình 4.8. Mạch khảo sát đặc tuyến của BJT
4.5.1. Đặc tuyến ngõ vào IB (VBE)

49


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực
Đặc tuyến IB (VBE) có dạng giống như đặc tuyến của diode, sau khi điện thế
VBE tăng đến trò số điện thế ngưỡng V thì bắt đầu có dòng IB và dòng IB cũng tăng
theo hàm số mũ như dòng ID của diode.
IB

VBE

V

Hình 4.9 Đặc tuyến ngõ vào của BJT
4.5.2. Đặc tuyến truyền dẫn IC (VBE)
Đặc tuyến truyền dẫn IC(VBE) có dạng giống như đặc tuyến IB (VBE) nhưng
dòng IC có trò số lớn hơn IB nhiều lần.
IC =IB
4.5.3. Đặc tuyến ngõ ra IC(VCE)
Nguồn VBB phân cực thuận nối nền - phát để tạo dòng IB. Khi điện thế phân
cực VBE < V thì có dòng IB = 0 và IC = 0. Nguồn VCC lớn làm cho cực thu dương so
với phát để cấp dòng IC.
Thay đổi VBB để IB có trò số nào đó, dùng máy đo, giả sử đo được IB=15A.
Lúc này giữ cố đònh IB bằng cách không đổi VBB, tiếp theo thay đổi VCC  VCE
thay đổi, đo dòng IC tương ứng với VCE thay đổi.
Ban đầu IC tăng nhanh theo VCE, nhưng đến giá trò cỡ IC=IB thì IC gần như
không tăng mặc dù hiệu thế VCE tăng nhiều.
Muốn IC tăng cao hơn thì phải tăng VBB để có IB tăng cao hơn, tiếp tục thay
đổi VCC để đo IC tương ứng, ta cũng thấy lúc đầu IC tăng nhanh nhưng đến giá trò
bão hoà IC = IB, IC gần như không tăng mặc dù VCE vẫn tăng.
sau:

Khảo sát tương tự IC(VCE) ở những giá trò IB khác nhau ta có họ đặc tuyến như
Ic (mA)

IB = 60A
IB = 45A
IB = 30A
IB = 15A

50
0

IB= 0 A

VCE (v)


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực

Hình 4.10. Họ đặc tuyến ngõ ra của BJT
4.6. Hình dạng

C
828

H
1061

Hình 4.11. Hình dạng các loại transistor
4.7. Phân cực BJT
BJT có rất nhiều ứng dụng trong các thiết bò điện tử, tuỳ theo từng ứng dụng
cụ thể mà BJT cần phải được cung cấp điện thế và dòng điện cho từng chân một
cách thích hợp. Phân cực (đònh thiên) BJT là chọn nguồn điện thế và điện trở sao
cho IB, IC, VCE có trò số thích hợp theo yêu cầu.
4.7.1. Phân cực dùng 2 nguồn riêng
Điều kiện dẫn điện của BJT:
Mối nối P-N giữa B và E được phân cực thuận, VBE = V
Mối nối P-N giữa B và C được phân cực nghòch.
NPN: VBE = 0,6 V(Si)
VBE = 0,2V (Ge)

2
1

VCE   VCC  VCC 
3
3

PNP: VEB = 0,6V (Si)
VEB = 0,2 V (Ge)

2
1

VEC   VCC  VCC 
3
3

Xét mạch như hình vẽ:
VCC = 18V
51


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực
VBB = 3,6V

VBE = 0,6V

RC

IC

RB = 50K

RB

RC = 2K
 = 80

B

IB

C

E

+

+
VCC

IE

VBB

Hình 4.12. Mạch phân cực dùng hai nguồn riêng cực E nối masse.
Với mạch như hình trên, dùng BJT loại Si, NPN mắc theo kiểu cực phát chung
(CE), nguồn VBB phân cực thuận mối nối P-N giữa B –E. Nguồn Vcc tạo điện thế
VC > VE để có dòng IC, VCC kết hợp với VBB phân cực nghòch mối nối P-N giữa B
và C. Mạch trên đã được thiết kế sẵn, bây giờ chúng ta tính 3 thông số IB, IC, VCE
để xác đònh vùng làm việc của BJT theo thiết kế.
Ta có:

IB =
IB =

VBB  VBE
RB

3,6  0,6
 60(μA)
50K

IC= 80 . 60 =4800(A) = 4,8(mA)
VCE = VCC - IC.RC
VCE = 18 –4,8. 2k = 18 – 9,6 = 8,4 (V)
Điểm phân cực Q
Ba thông số IB, IC, VCE xác đònh điểm phân cực Q trên đặc tuyến ngõ ra, hay
điểm phân cực Q có toạ độ IB, IC, VCE. Điểm phân cực Q còn gọi là điểm hoạt
động tónh (quiesent operating point ) hay điểm làm việc ở trạng thái tĩnh.
IC (mA)
IB = 90A

9,0

IB = 75A

4,8

Q52

IB = 60A
IB = 30A
IB= 0 µA


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực

Giả sử BJT có đặc tính ngõ ra như hình vẽ. Điểm trên đặc tuyến ngõ ra Q có
toạ độ IB = 60A; IC = 4,8mA; VCE = 8,4V là điểm phân cực.
Đường tải tónh (static load line)
Đối với RC không đổi thì IC thay đổi theo hiệu điện thế VCE ở biểu thức:
IC =

VCC  VCE
RC

Để phù hợp với phương trình toán học với IC là hàm số, VCE là biến số ta có
thể viết lại biểu thức trên như sau:
IC = -

VCE VCC

RC
RC

: Phương trình đường tải tónh

Theo phương trình đường tải tónh, ta thấy nó có dạng đường thẳng (phương
trình bậc nhất y = ax+b). Muốn vẽ đường thẳng, ta phải tìm hai điểm đặc biệt.
 Điểm nằm trên trục biến số VCE có giá trò hàm IC = 0
IC = 0  VCE = VCC = 18(V)
 Điểm nằm trên trục hàm số IC có giá trò biến số VCE = 0
VCE = 0  IC =

VCC 18
=
= 9(mA)
2k
RC

Vậy đường tải tónh là một đường thẳng qua điểm VCE = 18V trên trục biến số,
điểm IC = 9mA trên trục hàm số và dó nhiên qua điểm hoạt động tónh Q.
Ýù nghóa: Đường tải tónh là q tích điểm phân cực Q. Khi phân cực mạnh hơn
thì điểm Q chạy lên phía trên. Khi phân cực yếu hơn thì điểm Q chạy xuống phía
dưới.
 Khi BJT làm nhiệm vụ khuếch đại tín hiệu biên độ nhỏ thì phân cực sao cho
điểm Q nằm khoảng giữa đường tải tónh là thích hợp.
Xác đònh điện thế tại các cực của BJT:
VE = 0V
VB = VE +VBE = 0,6 V
VC = VCC – ICRC = 18 – 4,8 .2k = 18 –9,6 = 8,4 (V)
Trường hợp có thêm điện trở RE:
53


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực

IC

RC

RB

C
B

+

IB

E

+
RE

VBB

VCC

IE

Hìmh 4.14.Mạch phân cực BJT dạng dùng hai nguồn
Tọa độ điểm phân cực Q
IB =

VBB  VBE
R B  βR E

IC = IB
VCE = VCC – IC(RC+RE)
Phương trình đường tải tónh:
IC =

 VCE
VCC

RC  RE RC  RE

Vẽ đường tải tónh
IC = 0  VCE =VCC
VCE = 0  IC =

VCC
RC  RE

Đường tải tónh là đường thẳng đi qua 2 điểm:
A( 0,

VCC
) ; B (Vcc, 0)
RC  RE
54


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực
Xác đònh điện thế tại các cực của BJT:
VE = IE. RE
VB = VE +VBE
VC = VCC – IC.R hay VC = VE +VCE
4.7.2. Phân cực dùng một nguồn duy nhất:
a.Dùng điện trở giảm áp RB
RC

RB
B

C
E

+

VCC

RE

Hình 4.15 Mạch phân cực BJT dùng điện trở giảm áp.
Toạ độ điểm phân cực:
IB =

VCC  VBE
R B  βR E

IC = IB
VCE = VCC – IC (RC +RE)
Phương trình đường tải tónh:
IC = -

VCE
VCC

RC  RE RC  RE

Xác đònh điện thế tại các cực của BJT:
VE = IERE
VB = VE +VBE
VC = VCC – ICRC
b. Dùng điện trở hồi tiếp điện áp
Ic

Rc

Rb
Ib
C

55

B

+
E
V cc

Ie

Re


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực

Hình 4.16 Mạch phân cực BJT dùng điện trở hồi tiếp áp.

Toạ độ điểm phân cực :
IB =
Q

VCC  VBE
RB  β( RC  RE )

IC = IB
VCE = VCC – IC (RC +RE)

Phương trình đường tải tónh:
IC = -

VCE
VCC

RC  RE RC  RE

Xác đònh điện thế tại các cực của BJT:
VE = IERE
VB = VE +VBE
VC= VCC – ICRC = VE+VCE

RC

c. Dùng cầu phân thế

C

RB1

RB

RC
B

C
EE

RB2

IC
C

C
B

+

B

IB

+

VCC



E

+
B

VBB

RE

RE

IE

E

E

Hình 4.17.
Cách tính tương tự trường hợp phân cực BJT dạng dùng 2 nguồn riêng biệt có
RE. Với:
56

VCC
C


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực

VBB 

RB 

RB 2
VCC
RB 1  R B 2

RB 2 RB 1
RB 1  RB 2

4.8. Mạch tương đương dùng tham số h của BJT
Để khảo sát mạch chúng ta cần trình bày dưới một mô hình mạch tương
đương. Mô hình này xuất phát từ những hệ thức toán học. Chúng thường được trình
bày dưới dạng là nguồn dòng hoặc nguồn điện thế, tham số hỗn hợp (hydrid)
(tham số h).
Ý nghóa các tham số:


Vi
 h ie = tổng trở vào
i i (V0  0)
hie =rb +re



i0
= hfe = : hệ số khuếch đại dòng
ii



i0
1
= hre =
: tổng dẫn ra
roe
v 0 (i i  0)



Vi
= hre : hệ số hồi tiếp điện áp
V0 (i i  0)

 Tham số hỗ dẫn :
gm =

i0
ii V = 0
0

(ảnh hưởng của điện áp vào đối với dòng ra)

*áp dụng cho mạch CE:
gm =

h fe
h ie

Mạch tương đương dùng tham số h của BJT:
Rb
hfe
Re

Roc

57


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực

Hình 4.18
Giữa B và E là mối nối P – N đã được phân cực thuận nên điện trở đối với tín
26
hiệu xoay chiều tức là điện trở động re =
. Nếu xem dòng ib chạy khắp
i c (mA )
mạch ngõ vào thì phải thế re = re. Giữa cực nền và thu phân cực nghòch nên điện
trở động rất lớn, để đơn giản ta xem như hở mạch giữa B và C. Trong mô hình
chính xác hơn người ta thêm một điện trở lớn mắc giữa B và C. Giữa E và C là hai
diode mắc ngược giữa B và C. Giữa E và C là hai diode mắc ngược nên điện trở
động rất lớn roe thường 100k trở lên nên hầu hết các trường hợp bỏ đi.
Mô hình đơn giản của BJT:
B

C

hie

hfe
E

Hình 4.19

58


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực

BÀI TẬP
1. Xem các sơ đồ sau, sơ đồ nào diode được phân cực thuận:
VCC
R1

R2
D
R1 < R2

a)

V CC =12 v

10 K

22 K
D

4K 7

15 K

b)

2. Nêu cách chỉnh Q1 chạy mạnh, yếu trong các trường hợp sau:
+Vcc

a)
RC

RB1
B

C
E

RB2

RE

59


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực

b)
+Vcc

RC
BB
B

C
E

R

RE

3. Cho mạch như hình vẽ

RC

IC

C

RB

B

+

IB

E

+

IE

VBB

với Vcc =12V;
=100;

VCC

VBB =3V;
RC =3k;

VBE =0,6V;
RB =120k

a. Xác đònh toạ độ điển phân cực Q.
b. Viết phương trình đường tải tónh,vẽ đường tải tónh.
c. Xác đònh điện thế tại các cực của BJT.
4. Cho mạch như hình bài tập số 3 , với Vcc =18V, VBB =3,6 V, VBE =0,6V;
=80; RC =2k; RB =50k.
a. Hãy xác đònh toạ độ điểm làm việc Q.
b. Viết phương trình đừơng tải tónh, vẽ đường tải tónh.
60


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực
c. Cho biết điện thế tại các cực của BJT.
5. Cho mạch như hình vẽ sau:

RC
RB
B

C
E

+

+

VCC

RE
VBB

Với

VCC = 18V

RB = 10k

VBB = 3,6 V

RC = 1,5k

VBE = 0,6 V

RE = 0,5k

 = 80
a) Xác đònh toạ độ điểm phân cực Q.
b) Viết phương trình đường tải tónh.
c) Xác đònh điện thế tại các cực của BJT.
6. Cho mạch như hình bài tập số 5
Với

VCC = 12V

VBB = 3V

VBE = 0,6V

 = 100

RB = 70k

RC = 2,5k

RE = 0,5k
a) Xác đònh dòng điện chạy qua các điện trở. Cho biết toạ độ điểm phân cực
Q.
b) Viết phương trình đường tải tónh .
c) Xác đònh điện thế tại các cực của BJT.
7. Cho mạch như hình vẽ:
Với: VCC = 12V

VBE = 0,6V

RB = 520k

RC = 2,5k

RE = 0,5k

 = 100

RC

RB

61

B

C
E
RE

+

VCC


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực

a) Xác đònh toạ độ điểm làm việc Q.
b) Viết phương trình đường tải tónh.
c) Xác đònh điện thế tại các cực của BJT.
8. Cho mạch như hình vẽ:
Với: VCC = 12V

VBE = 0,6V

RB = 270k

RC = 2,5k

RE = 0,5k

 = 100

RB

RC

VCC

a) Xác đònh toạ độ điểm làm việc Q.
RE

b) Viết phương trình đường tải tónh.
c) Xác đònh điện thế tại các cực của BJT.
9. Cho mạch như hình vẽ :

RB1

RC
C

B

EE

RB2

+

VCC

RE

Với: VCC = 12v

VBE = 0,6V

 =100

RB1 = 56k

RB2 =10k

Rc = 2,5k

RE = 0,5k
a. Cho biết toạ độ điểm phân cực Q.
b. Viết phương trình đường tải tónh.
c. Cho biết điện thế tại các cực của BJT.
10. Cho mạch như hình bài tập số 8 với:
62


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực
Vcc = 18V

VBE = 0,6V

 = 80

RB1 = 48k

RB2 = 12k

RC = 1,5k

RE = 0,5k
a. Xác đònh toạ độ điểm phân cực.
b. Viết phương trình đường tải tónh.
c. Xác đònh điện thế tại các cực của BJT.
11. Cho mạch như hình bài tập số 7 , với VCC = 9V, = 50, VBE= 0,7. Hãy xác
đònh các điện trở trong mạch, biết rằng ở trạng thái tónh IC = 1mA, VCE =
5V(để ổn đònh điểm làm việc theo nhiệt độ chọn R E theo điều kiện:
1 1
VCC)
5 10

VE( 

+VCC

12. Vẽ mạch tương đượng của mạch sau:

RB1

RC
C2
VO

C1
Vi

Hình 12

RB2

RE

13. Vẽ mạch tương đương của mạch sau:
+VCC

RB1

RC
C2

C1

RS
RB2

RE

VS

63
Hình 13


Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực

14. Veõ maïch töông ñöông cuûa maïch sau: +V

C

C

RC

RB1

C2

C1
RL

CB

RS

RE

RB2

VS

Hình 14

15. Veõ maïch töông ñöông cuûa maïch sau:
+ VCC

Hình 15
RB1

RC

C1
C2
RS
RB2
VS

64

RE

RL


Chương 5: Transistor hiệu ứng trường

Chương 5:

TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG
(FIELD EFFECT TRANSISTOR = FET)
5.1. Khái niệm
Transistor trình bày trước được gọi là transistor mối nối lưỡng cực (BJT =
Bipolar Junction Transistor). BJT có điện trở ngõ vào nhỏ ở cách mắc thông thường
CE, dòng IC = IB, muốn cho IC càng lớn ta phải tăng IB (thúc dòng lối vào). Đối
với transistor hiệu ứng trường có tổng trở vào rất lớn. Dòng điện ở lối ra được tăng
bằng cách tăng điện áp ở lối vào mà không đòi hỏi dòng điện. Vậy ở loại này điện
áp sẽ tạo ra một trường và trường này tạo ra một dòng điện ở lối ra.
Field Effect Transistor (FET)
FET có hai loại: JFET và MOSFET.
5.2. JFET (Junction Field Effect Transistor):
5.2.1. Cấu tạo – ký hiệu
JFET được gọi là FET nối hay thường gọi là FET.
Trên thanh bán dẫn loại N ở 2 đầu cho tiếp xúc với kim loại đưa ra hai chân
lần lượt gọi là D, S. Người ta tạo ra mối nối P - N với thanh bán dẫn. Kim loại tiếp
xúc bán dẫn loại P được đưa ra ngoài gọi là chân G.
- Cực thoát (còn gọi là cực máng): Drain = D
- Cực nguồn: Source = S
- Cực cổng: Gate = G
Vùng bán dẫn giữa D và S được gọi là thông lộ (kênh).
Tuỳ theo vùng bán dẫn giữa D và S, người ta phân biệt JFET ra làm hai loại:
JFET kênh N và JFET kênh P.
D

G

D

P

P

G

N

N

N

S
FET kenh N

P

65

S
FET kenh P


Chương 5: Transistor hiệu ứng trường

Hình 5.1 Cấu tạo JFET

D

D

G

G

JFET N

JFET P

S

S

Hình 5.2. Ký hiệu của JFET
5.2.3. Nguyên lý vận chuyển
Giữa D và S đặt một điện áp VDS tạo ra một điện trường mạnh có tác dụng
đẩy hạt tải đa số của bán dẫn kênh chạy từ S sang D hình thành dòng I D. Dòng ID
tăng lên theo điện áp VDS cho đến khi đạt giá trò bão hoà IDSS ( Saturation) và điện
áp VDS tương ứng gọi là điện áp nghẽn tắt (pinch off) VP0.
Giữa cực G và S đặt một điện áp VGS sao cho phân cực nghịch mối nối P-N.
Sự phân cực nghịch làm cho vùng tiếp xúc thay đổi điện tích. Điện áp phân cực
nghịch VGS càng lớn thì vùng tiếp xúc càng mở rộng ra, làm cho tiết diện của kênh
dẫn điện bò thu hẹp lại, điện trở kênh tăng lên, làm cho dòng điện qua kênh I D
giảm xuống và ngược lại nếu VGS nhỏ thì dòng ID tăng lên.
5.2.4. Đặc tuyến
Khảo sát sự thay đổi dòng thoát ID theo điện thế VGS và VDS, từ đó người ta
đưa ra hai đặc tuyến của JFET.
RD
VCC

VDC

RS

Hình 5.3.
5.2.4.1. Đặc tuyến chuyển ID(VGS)
VDS=const
66


Chương 5: Transistor hiệu ứng trường

Giữ VDS không đổi, thay đổi VGS và khảo sát sự biến thiên của ID.
ID

IDSS

VP0

0

VGS

Hình 5.4.
-

Khi VGS = 0V, dòng điện ID lớn nhất, có giá trò bão hòa, ký hiệu IDSS.

-

ID thay đổi giảm xuống tuỳ VGS âm ít hay nhiều. Đến lúc VGS khá âm thì
ID = 0 gọi là điện thế cắt của JFET ký hiệu : VPO.

5.2.4.2. Đặc tuyến ngõ ra ID(VDS)

VGS const

Giữ nguyên VGS ở một trò số không đổi nhất đònh, thay đổi VDS và khảo sát sự
biến thiên của dòng thoát ID.
ID
VGS = 0V

IDSS
VGS = -1V
VGS = -2V
VGS = -3V
VGS = -4V

0

VPO

VDS (v)

Hình 5.5

67


Chương 5: Transistor hiệu ứng trường

Khi VGG =0V tức VGS=0V, mối nối P-N giữa G và S không phân cực, mối nối
P-N giữa G và D phân cực nghòch. Tăng nguồn VDD để tăng điện thế VDS từ 0V
lên thì dòng ID tăng lên nhanh nhưng sau đó đến một trò giới hạn thì dòng điện I D
không tăng được nữa gọi là dòng điện bão hoà IDSS (Staturation). Điện thế VDS có
IDSS gọi là điện thế nghẽn VP0.
Khi VGG <0 hay VGS <0, mối nối P-N giữa G và S phân cực nghòch, mối nối PN giữa G và D phân cực nghòch lớn hơn trước dẫn đến nghẽn sớm hơn. Khi tăng
điện thế âm ở cực G đến giá trò sao cho VGS âm nhiều thì kênh nghẽn ngay từ đầu
nên ID =0 ở mọi giá trò VDS. Lúc bấy giờ kênh ngưng.
5.2.4.3. Phân cực
Cách phân cực đơn giản và thông dụng nhất cho JFET là phân cực tự động
như hình sau:
-Vcc
+Vcc
RD
RD

RG

RS

RG

Hình 5.6

RS

Hình 5.7

Xét JFET kênh N ta có:
VD = VCC – IDRD
VS = IDRS
VDS = VCC - ID(RD+RS)
Ở cực G phân cực ngược mối nối P-N nên không có dòng IG hay IG = 0, nên
VG = 0.
Điện trở RG có trò số rất lớn cỡ 1M đến 10M.
Điện thế phân cực ngõ vào là :
VGS = VG -VS = 0 –IDRS = -IDRS
Phương trình đường tải tónh:
ID = 

VDS
VCC

RD  RS RD  RS
68


Chương 5: Transistor hiệu ứng trường

Cách xác đònh đường tải tónh cho mạch dùng JFET tương tự như BJT.
5.3. MOSFET (Metal Oxide Semiconduction FET)
MOSFET chia làm hai loại: MOSFET kênh liên tục (MOSFET loại hiếm) và
MOSFET kênh gián đoạn (MOSFET loại tăng). Mỗi loại có phân biệt theo chất
bán dẫn kênh N hoặc kênh P.
5.3.1.MOSFET kênh liên tục
a. Cấu tạo – ký hiệu
S

G

D
Al
SiO2

+

D

N

+

N

N

G

P
S
Sub

Hình 5.7. Cấu tạo – ký hiệu MOSFET kênh liên tục loại N
S

G

D
Al
SiO2

+

D

P

+

P

P

G

N
G
Sub

Hình 5.8. Cấu tạo – ký hiệu MOSFET kênh liên tục loại P
Gate (G) : cực cửa (cực cổng )
Drain (D) : cực thoát (cực máng)
Source (S) : cực nguồn
Subtrat (Sub) : đế (nền)
Cấu tạo MOSFET kênh liên tục loại N
69


Tài liệu bạn tìm kiếm đã sẵn sàng tải về

Tải bản đầy đủ ngay

×