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TechnischeInformation TechnicalInformation

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP40R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

VorläufigeDaten
PreliminaryData

IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage

Tvj = 25°C

VCES

Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent


TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C

IC nom

IC

40
55



PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent

tP = 1 ms

ICRM



80

 A

Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation

TC = 25°C, Tvj max = 150

Ptot



210

 W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterpeakvoltage



VGES



+/-20

 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues



min.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage

IC = 40 A, VGE = 15 V
IC = 40 A, VGE = 15 V

Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage

IC = 1,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C

Gateladung
Gatecharge

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

 V

1200

VCE sat

A
A

typ.

max.

1,80
2,05

2,30

V
V

VGEth

5,0

5,8

6,5

V

VGE = -15 V ... +15 V

QG



0,33



µC

InternerGatewiderstand
Internalgateresistor

Tvj = 25°C

RGint



6,0





Eingangskapazität
Inputcapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cies



2,50



nF

Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cres



0,09



nF

Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent

VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C

ICES





5,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C

IGES





400

nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload

IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 27 Ω

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

td on



0,09
0,09



µs
µs

Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload

IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 27 Ω

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

tr



0,03
0,05



µs
µs

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload

IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 27 Ω

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

td off



0,42
0,52



µs
µs

Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload

IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 27 Ω

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

tf



0,07
0,09



µs
µs

EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse

IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH
VGE = ±15 V
RGon = 27 Ω

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

Eon



4,10
5,80



mJ
mJ

AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse

IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 27 Ω

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

Eoff



3,60
4,20



mJ
mJ

Kurzschlußverhalten
SCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt

ISC



Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

RthJC





0,60 K/W

TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions



Tvj op

-40



125

preparedby:AS

dateofpublication:2013-10-03

approvedby:RS

revision:2.0
1

tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C

160



A

°C


TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP40R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage

Tvj = 25°C

Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent



PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent

tP = 1 ms

Grenzlastintegral
I²t-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C

VRRM 

1200

 V

IF



40

 A

IFRM



80

 A

I²t



320

 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

1,75
1,75

2,30

Durchlassspannung
Forwardvoltage

IF = 40 A, VGE = 0 V
IF = 40 A, VGE = 0 V

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent

IF = 40 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

IRM



45,0
46,0



A
A

Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge

IF = 40 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

Qr



4,40
8,40



µC
µC

AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy

IF = 40 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

Erec



1,55
3,10



mJ
mJ

VF

V
V

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

RthJC





0,95 K/W

TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions



Tvj op

-40



125

°C

Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage

Tvj = 25°C

VRRM 

1600

 V

DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip

IFRMSM 

50

 A

GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput

TC = 80°C

IRMSM 

60

 A

StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent

tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C

IFSM



315
260



A
A

Grenzlastintegral
I²t-value

tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C

I²t



500
340



A²s
A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

VF



1,20



V

IR



2,00



mA

proDiode/perdiode

RthJC





TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions



Tvj op





preparedby:AS

dateofpublication:2013-10-03

approvedby:RS

revision:2.0

Durchlassspannung
Forwardvoltage

Tvj = 150°C, IF = 40 A

Sperrstrom
Reversecurrent

Tvj = 150°C, VR = 1600 V

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase

2

1,00 K/W


°C


TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP40R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage

Tvj = 25°C

VCES

Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent

TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C

IC nom

IC

15
25



PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent

tP = 1 ms

ICRM



30

 A

Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation

TC = 25°C, Tvj max = 150

Ptot



105

 W

Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage



VGES



+/-20

 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues



min.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage

IC = 15 A, VGE = 15 V
IC = 15 A, VGE = 15 V

Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage

IC = 0,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C

Gateladung
Gatecharge

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

 V

1200

VCE sat

A
A

typ.

max.

1,70
1,90

2,15

V
V

VGEth

5,0

5,8

6,5

V

VGE = -15 V ... +15 V

QG



0,15



µC

InternerGatewiderstand
Internalgateresistor

Tvj = 25°C

RGint



0,0





Eingangskapazität
Inputcapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cies



1,10



nF

Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cres



0,04



nF

Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent

VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C

ICES





5,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C

IGES





400

nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload

IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 75 Ω

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

td on



0,09
0,09



µs
µs

Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload

IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 75 Ω

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

tr



0,03
0,05



µs
µs

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload

IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 75 Ω

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

td off



0,42
0,52



µs
µs

Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload

IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 75 Ω

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

tf



0,07
0,09



µs
µs

EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse

IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH
VGE = ±15 V
RGon = 75 Ω

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

Eon



1,50
2,10



mJ
mJ

AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse

IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH
VGE = ±15 V
RGoff = 75 Ω

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

Eoff



1,10
1,30



mJ
mJ

Kurzschlußverhalten
SCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt

ISC



Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

RthJC





1,20 K/W

TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions



Tvj op

-40



125

preparedby:AS

dateofpublication:2013-10-03

approvedby:RS

revision:2.0
3

tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C

60



A

°C


TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP40R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage

Tvj = 25°C

Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent



PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent

tP = 1 ms

Grenzlastintegral
I²t-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C

VRRM 

1200

 V

IF



10

 A

IFRM



20

 A

I²t



20,0

 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

1,80
1,85

2,25

Durchlassspannung
Forwardvoltage

IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent

IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

IRM



14,0
15,0



A
A

Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge

IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

Qr



1,00
1,80



µC
µC

AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy

IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

Erec



0,26
0,56



mJ
mJ

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

RthJC





2,30 K/W

TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions



Tvj op

-40



125

min.

typ.

max.

R25



5,00



kΩ

∆R/R

-5



5

%

P25





20,0

mW

VF

V
V

°C

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance

TC = 25°C

AbweichungvonR100
DeviationofR100

TC = 100°C, R100 = 493 Ω

Verlustleistung
Powerdissipation

TC = 25°C

B-Wert
B-value

R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]

B25/50



3375



K

B-Wert
B-value

R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]

B25/80



t.b.d.



K

B-Wert
B-value

R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]

B25/100



t.b.d.



K

AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

preparedby:AS

dateofpublication:2013-10-03

approvedby:RS

revision:2.0
4


TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP40R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate





InnereIsolation
Internalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)

Kriechstrecke
Creepagedistance

VISOL 

2,5

 kV



Cu









AI203





Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal





10,0

 mm

Luftstrecke
Clearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal





7,5

 mm

VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex



CTI



> 225





min.

typ.

RthCH



0,02

LsCE



60



nH

RCC'+EE'
RAA'+CC'



4,00
3,00



mΩ

Tstg

-40



125

°C

SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote

M

3,00

-

6,00

Nm

Gewicht
Weight



G



180



g

preparedby:AS

dateofpublication:2013-10-03

approvedby:RS

revision:2.0

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule



Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip

TC=25°C,proSchalter/perswitch

Lagertemperatur
Storagetemperature



Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting

5

max.
K/W


TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP40R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C

80

80
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

70

60

60

50

50
IC [A]

IC [A]

70

40

30

20

20

10

10

0,0

0,5

1,0

1,5
2,0
VCE [V]

2,5

3,0

0

3,5

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5 3,0
VCE [V]

3,5

4,0

4,5

5,0

16
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

70

50

10
E [mJ]

12

40

8

30

6

20

4

10

2

5

6

7

Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C

14

60

0

0,0

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=27Ω,RGoff=27Ω,VCE=600V

80

IC [A]

40

30

0

VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V

8
9
VGE [V]

10

11

0

12

preparedby:AS

dateofpublication:2013-10-03

approvedby:RS

revision:2.0
6

0

10

20

30

40
IC [A]

50

60

70

80


TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP40R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=40A,VCE=600V

TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)

10

1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C

9

ZthJC : IGBT

8
7

ZthJC [K/W]

E [mJ]

6
5
4

0,1

3
2
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,06769 0,2709 0,1523 0,1052
τi[s]:
0,002345 0,0282 0,1128 0,282

1
0

0

10

20

30
RG [Ω]

40

50

0,01
0,001

60

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=27Ω,Tvj=125°C
90
IC, Modul
IC, Chip
80

0,01

0,1
t [s]

1

10

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
80
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

70

70

60

60
50

IF [A]

IC [A]

50

40

40
30

30
20

20

10

10
0

0

200

400

600
800
VCE [V]

1000

1200

0

1400

preparedby:AS

dateofpublication:2013-10-03

approvedby:RS

revision:2.0
7

0,0

0,5

1,0

1,5
VF [V]

2,0

2,5

3,0


TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP40R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=27Ω,VCE=600V

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=40A,VCE=600V

5,0

5,0
Erec, Tvj = 125°C

4,5

4,5

4,0

4,0

3,5

3,5

3,0

3,0
E [mJ]

E [mJ]

Erec, Tvj = 125°C

2,5

2,5

2,0

2,0

1,5

1,5

1,0

1,0

0,5

0,5

0,0

0

10

20

30

40
IF [A]

50

60

70

0,0

80

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)

0

10

20

30
RG [Ω]

40

50

60

DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)

1

80
ZthJC : Diode

Tvj = 25°C
Tvj = 150°C

70
60

IF [A]

ZthJC [K/W]

50
0,1

40
30
20

i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,09674 0,6249 0,18
0,05701
τi[s]:
0,003333 0,03429 0,1294 0,7662

0,01
0,001

0,01

0,1
t [s]

1

10
0

10

preparedby:AS

dateofpublication:2013-10-03

approvedby:RS

revision:2.0
8

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8 1,0
VF [V]

1,2

1,4

1,6

1,8


TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP40R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V

DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)

30

30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

25

25

20

20

IF [A]

IC [A]

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

15

15

10

10

5

5

0

0,0

0,5

1,0

1,5
2,0
VCE [V]

2,5

3,0

0

3,5

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp

R[Ω]

10000

1000

100

0

20

40

60

80
100
TC [°C]

120

140

160

preparedby:AS

dateofpublication:2013-10-03

approvedby:RS

revision:2.0
9

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0
VF [V]

2,5

3,0

3,5

4,0


TechnischeInformation/TechnicalInformation

FP40R12KT3

IGBT-Module
IGBT-modules

VorläufigeDaten
PreliminaryData

Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungen/packageoutlines

Infineon

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approvedby:RS

revision:2.0
10


TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules

FP40R12KT3
VorläufigeDaten
PreliminaryData

Nutzungsbedingungen


DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.

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interestedwemayprovideapplicationnotes.
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Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.

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revision:2.0
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